Mae'r prif ffactorau sy'n effeithio ar gyflymder tewychu haen cotio silicon yn cynnwys trwch yr haen glud, lleithder amgylcheddol, tymheredd amgylchynol, priodweddau colloid, defnydd asiant halltu a phroses weithredu, ac ati. Mae'r canlynol yn ddadansoddiad penodol:
Glud Trwch Haen:Pan fydd y glud silicon yn fwy trwchus, mae'r haen glud dwfn yn gwella'n arafach, ac mae'r amser halltu cyffredinol yn cynyddu, sydd yn ei dro yn effeithio ar y cyflymder tewychu. Mae hyn oherwydd ei bod yn anodd i'r haen glud mwy trwchus gysylltu'n gyflym â'r aer llaith, gan arwain at oedi yn y broses halltu.
Lleithder amgylchynol:O dan yr un tymheredd amgylchynol, yr uchaf yw'r lleithder, y cyflymaf y bydd y coloid silicon yn gwella. Mae lleithder yn ffactor pwysig sy'n effeithio ar gyflymder adweithio vulcanization silicon, a gall amgylchedd lleithder uchel hyrwyddo proses halltu silicon.
Tymheredd amgylchynol:Po uchaf yw'r tymheredd, y cyflymaf y mae'r haen glud silicon yn gwella. O dan yr un lleithder amgylchynol, gall cynyddu'r tymheredd gyflymu adwaith vulcanization silicon, a thrwy hynny gyflymu'r cyflymder tewychu. Fodd bynnag, dylid nodi y gallai tymereddau rhy uchel hefyd achosi newidiadau mewn priodweddau silicon, y mae angen eu haddasu o fewn ystod briodol.
Priodweddau Colloid:Bydd cyflymder sychu wyneb a chryfder halltu silicon yn effeithio ar y cyflymder halltu cyffredinol. Po gyflymaf y bydd y cyflymder sychu arwyneb a'r cryfaf yn gryfder halltu silicon, y cyflymaf yw'r cyflymder halltu cyffredinol, sy'n ffafriol i wella'r cyflymder tewychu.
Defnydd Asiant halltu:Bydd ychwanegiad asiant halltu amhriodol (megis ychwanegu gormod neu rhy ychydig) yn effeithio ar gyflymder halltu silicon. Yn ogystal, ni ellir cymysgu gwahanol fathau o gyfryngau halltu, fel arall ni chaiff y silicon wella na gwella'n anghyflawn.
Proses weithredu:gan gynnwys a yw'r cynhyrfu yn unffurf ac a yw tymheredd yr amgylchedd gweithredu yn addas. Mae angen troi'r silicon a'r asiant halltu yn llawn, yn enwedig y silicon ar waelod y cynhwysydd. Rhaid rheoli tymheredd yr amgylchedd gweithredu hefyd o fewn ystod briodol (megis gradd 20 gradd -30) i sicrhau y gall y silicon wella'n normal.