Safon Arolygu Trosglwyddo Thermol Label Silicon

Safon Arolygu Trosglwyddo Thermol Label Silicon
1. Proses Gwirio Paramedr
Prawf sampl: Defnyddir tabl prawf orthogonal L9 (3⁴), a thymheredd yw'r newidynnau (165 gradd\/175 gradd\/185 gradd), gwasgedd (1MPA\/1.5MPA\/2MPA), amser (15 eiliad\/20 eiliad\/25 eiliad), y dull oeri (oeri naturiol\/oeri aer\/oeri aer), a 3 sampl.
Gwerthuso perfformiad:
Prawf crafu (ISO 2409): Mae gradd 4B (mae'r ymyl torri yn hollol esmwyth ac nid oes grid yn cwympo i ffwrdd) yn gymwys;
Prawf berwi dŵr (100 gradd × 30 munud): nid yw'r patrwm yn byrlymu nac yn cwympo i ffwrdd;
Cylch tymheredd uchel ac isel (-20 gradd × 2H → 70 gradd × 2H, 5 cylch): dim cracio na phlicio.
2. Safonau halltu proses
Archwiliad Darn Cyntaf: Cyn pob swp o gynhyrchu, gwneir 3 sampl yn ôl y paramedrau gorau posibl. Dim ond ar ôl pasio'r trawsbynciol, gwisgo ymwrthedd (rhwbiwr 50 gwaith), profion tymheredd uchel ac isel.
Monitro Proses: Mae egni wyneb y rwber silicon yn cael ei brofi â beiro dyne bob awr (sy'n fwy na neu'n hafal i 38mn\/m), ac mae 1 darn yn cael ei samplu ar hap bob 2 awr ar gyfer prawf traws-dorri.